＜原理・主な使用方法＞ プラズマクリーナー

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ステージやバルブに用いる潤滑材,真空グリス,ポンプ油,大気, 更には試料そのもの(特に蒸気圧の高いポリマーやレジストなど)、これらはあらゆる高真空装置において炭化水素汚染の原因であるハイドロカーボンのソースとなります。
分子量の大きい汚染物質は試料表面や真空チャンバー壁に付着し、これらをガスパージで取除くことはできず、高分子材料が真空中に曝されると、含有されている低分子有機物がガス化し真空中に放出されます。
試料室内は高真空に保たれていても、試料室内に残留した汚染物質や試料そのものからアウトガスが放出されるため、試料表面は炭化水素系のガス分子に覆われた状態となります。

電子線やEUV,X線などの高エネルギー光ビームは、こうした残留ガス分子(ハイドロカーボン汚染物質)を分解し、それによる副産物(主にカーボン)はビーム照射された試料表面や光学系などの表面で重合し、汚染物質として試料表面に堆積されます。

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クリーニング対象の真空チャンバー、もしくはクリーニング対象物（試料や汚染コンポーネントなど）をセットした真空チャンバーにプラズマソースを接続し、ソース内部の石英チューブはチャンバーと一緒に真空引きされます。
コントローラ（高周波電源）からプラズマソースにRF信号が伝達されると同時に、ソースの通気バルブを介してプロセスガス^※1 を導入し、チューブ内にプラズマを発生させて活性ラジカルを生成します。

チューブ内のラジカルは真空装置付随のポンプでチャンバー内に引かれて拡散します。
チューブ内（上流）からチャンバー（下流）へのラジカルの流れをダウンストリームと呼びます。

チャンバー内で拡散されたラジカルは、チャンバー内に残留したハイドロカーボンガス分子や、クリーニング対象物やチャンバー壁に堆積した有機物と化学的に反応（低温灰化, アッシング）して低分子化され、最終的には二酸化炭素や水分子などの副生成物となって真空ポンプでチャンバー外に排出されることで、チャンバーおよび対象物をクリーニングします。

※1：通常はAirまたは酸素ガスをプロセスガスとして導入することで酸素ラジカル（原子状酸素）を生成し、酸化反応によりクリーニングを行います。酸化が許容できない場合は、ガス種に水素を用いた水素プラズマ（原子状水素）による還元反応でクリーニングする場合もあります。