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フォトレジスト剥離、デスカム処理、MEMSのためのプラズマクリーニング

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アプリケーション例 ▶

 

 

 

フォトレジストの剥離・デスカム処理、シリコンウエハの有機汚染除去

 

関連製品

 

Tergeo-Basic、Tergeo-Plus 卓上型プラズマクリーナー

 

 

代表的なアプリケーション

・ フォトレジストのドライアッシング
・ パターニング後のデスカム処理
・ ウエハ上の有機汚染の除去
・ MEMSデバイスの表面親水性の向上
・ ワイヤボンディング工程での接着強度の向上

 

 

ドライフォトレジスト剥離(アッシング)は、シリコンウエハ上のフォトレジスト層を高速で化学的にエッチングするプロセスです。プラズマ中の高エネルギーの電子は、酸素分子を分解して活性酸素原子を生成します。酸素ラジカルはフォトレジストを酸化させ、蒸気圧の高い副生成物であるCO、CO2、H2Oを発生させます。また、CF4やSF6ガスを少量添加することで、反応性の高いフッ素原子がフォトレジストポリマーから水素を取り出す速度を高め、フォトレジストのエッチング速度を大幅に向上させることができます。

 

プラズマ装置Tergeo-plusの酸素プラズマを用いたフォトレジストのアッシング

 

フォトレジストのデスカム処理とは、フォトレジストをパターン化して現像した後、さらに穏やかにフォトレジストをエッチングする工程です。これは現像した部分に残ったフォトレジストのスカムを除去するために行われます。このような残留物は、後続のドライエッチングやウェットエッチングの妨げになったり、ウエハ全体のエッチングレートの均一性に影響を与えたりします。また、フォトレジストマスクのサイドウォールプロファイルを改善し、プロセスの均一性を向上させることができます。

 

パターニング、現像後のレジスト残留物

 

シリコンや石英のウエハ上に製造されるMEMSデバイスでは、ウエハ表面に有機物が付着すると、水の接触角が大きくなり、表面が疎水化してしまいます。酸素プラズマ処理は、この有機物汚染を容易に除去し、表面を親水性にすることができます。また、ワイヤボンディング工程の前にボンディングパッド上の有機汚染物を除去することも重要です。

 

ウエハ表面の有機汚染を除去し、表面の濡れ性を高める酸素プラズマ処理

 

 

 

その他のアプリケーション例 ▶

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