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電流イメージング

電流イメージングは、原理的には「ピコアンプイメージング」や他の導電性AFM技術などの手法に似ています。
これらの方法とは対照的に、電流イメージングは迅速で簡単です。プローブチップをサンプル表面または非常に近接した場所(トンネルコンタクト)に置くだけで、その後スキャンパターンが実行されます。

電圧源と電流シンクには、以下のような様々な構成が可能です。
  ・プローブの先端にバイアスをかけ、もう1つの先端を電流シンクとして使用する
  ・プローブの先端にバイアスをかけて、試料を電流シンクとして使用する
  ・試料にバイアスをかけ、走査プローブを電流シンクとして使用する
  ・プローブを固定した状態で、サンプルを使って対象領域をスキャンする

高性能アンプを使って、スキャンの各ポイントにおける電圧バイアスに対するサンプルの電流応答のマップが得られます。
この電流マップを使って、リーク、ショート、オープンなどの欠陥を見つけることができます。プローバーシャトルに搭載されている安定性の高いMM4マイクロマニピュレータがこのシンプルな手法を可能にします。

 

イメージ

 


プローブの先端を試料表面上で走査


正のバイアス電圧による電流イメージマップ


負のバイアス電圧による電流イメージマップ


電流イメージングによるリークゲートの検出


様々な電流経路とスキャンモードが利用可能

 

紹介動画

 


[Current Imaging - measurement principle]


[Current Imaging on a 22 nm sample]


[ISTFA 2015 Video Contest Submission]

 

 

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