EBIC、EBAC、RCI、EBIRCH、EBIV

半導体の故障を検出するための強力かつシンプルなナノプロービング分析技術として、EBIC（Electron Beam Induced Current：電子ビーム誘起電流）があります。EBICおよびRCI、EBAC、EBIRCH、EBIVなどの関連手法は、電子ビームを使ってサンプル内に信号を発生させ、その信号を増幅して画像化します。

EBIRCH法では、欠陥があると想定される構造物の両端の接点に、2本のプローブチップを当てる必要があります。
一方の針にバイアスをかけながら、電子ビームで対象領域を走査します。欠陥のある場所では、電子ビームの入射によって局所的な加熱が起こり、欠陥の抵抗値が変化します。この抵抗値の変化は、ナノプロービングシステムによって可視化されます。取得された電流信号が顕微鏡にフィードバックされ、電子ビームでスキャンされたすべての位置における電流の流れのマップが生成されます。欠陥は通常、マップ上の明るいスポットとして現れます。この電流マップを、並行して生成された二次電子像や回路レイアウトと比較することで、欠陥の正確な位置を特定することができます。電子ビームの加速電圧を調整することで、サンプル内のさまざまな深さにアクセスすることができます。

要約すると、EBIRCHは以下を使用して行われます。
  ・抵抗造影法によるイメージング
  ・試料にバイアスをかけた状態
  ・ACモードでEBICアンプに流れる電流の変化を記録する

他のプロービング技術と比較して、これらの技術の利点は、分析を開始する前にパッシベーション層を除去する必要がないことです。また、集積回路の表面を傷つけることなく、測定を行うことができます。